Công nghệ mới nào sẽ được trang bị lên các dòng sản phẩm Smartphone 2023?

Smartphone 2023 đột phá trong công nghệ sạc nhanh, Realme hỗ trợ sạc nhanh 240W

Realme đã tổ chức một hội nghị truyền thông về công nghệ sạc nhanh vào ngày 5 tháng 1 với chủ đề "Chương cuối cùng của sạc nhanh trên thiết bị di động". Tại hội nghị, công nghệ sạc nhanh mới của realme, sạc nhanh 240W được giới thiệu. Sạc nhanh 240W thực sự sẽ đạt công suất cao nhất của giao thức Type-C 3.1 ở giai đoạn này, đây là một bước đột phá công nghệ lớn cho điện thoại di động.

Công nghệ sạc nhanh 240W của Realme (Nguồn: Weibo)

Theo thông tin trước đó, Realme GTNeo5 sẽ là chiếc smartphone 2023 đầu tiên được trang bị công nghệ sạc nhanh 240W. Phiên bản tiêu chuẩn của Realme GTNeo5 hỗ trợ sạc nhanh có dây 150W, trong khi phiên bản cao cấp của Realme GTNeo5 sẽ hỗ trợ sạc nhanh có dây 240W.

Sạc nhanh siêu tốc 240W của Realme sử dụng bộ sạc USB-C phổ thông có thông số đầu ra là 24V10A, được xuất trực tiếp tới bộ pin chuỗi kép bằng hai bơm sạc. Sau khi vào điện thoại di động, nguồn điện được bơm sạc chuyển đổi thành 10V/24A để sạc trực tiếp điện áp cao, thế hệ pin mới hỗ trợ sạc tốc độ cao hơn và dòng điện của một pin có thể đạt tới 12A. Với sự hỗ trợ của sạc siêu nhanh 240W, điện thoại di động có dung lượng pin tương đương 4500mAh có thể được sạc tới 100% trong 9 phút và lần đầu tiên thời gian sạc của điện thoại di động đã đạt đến một con số.

Công nghệ sạc nhanh 240W của Realme là sự nâng cấp toàn diện của toàn bộ liên kết sạc, được nâng cấp trên adapter, dây và cell pin, có thể đảm bảo kiểm soát nhiệt độ và an toàn trong suốt quá trình sạc, đồng thời có thể giảm thiểu quá trình sinh nhiệt.

Quy trình 3nm, đẳng cấp mới của chip smartphone 2023

Các tin tức trước đó cho biết iPhone 15 sẽ là smartphone 2023 đầu tiên được trang bị chip A17 và chip A17 sẽ sử dụng quy trình 3nm của TSMC, Samsung cũng đã công bố sản xuất trên quy trình 3nm vào nửa đầu năm ngoái.

TSMC cho biết, theo quy trình 3nm, mức tiêu thụ điện năng sẽ giảm 25% ~ 30%, hiệu suất có thể được cải thiện 10% ~ 15% và mật độ bóng bán dẫn sẽ tăng khoảng 70%. Diện tích của ô SRAM của quy trình N3 là 0,0199 micron vuông, nhỏ hơn 5% so với của N5. Về lựa chọn quy trình, chip 3nm của TSMC đã chọn công nghệ FinFET nâng cao, mật độ SRAM tăng 20% ​​và mật độ tương tự tăng 10% và TSMC đã bắt đầu sản xuất hàng loạt.

Có thể thấy từ quy trình 3nm của TSMC, lần này 3nm tập trung vào việc giảm mức tiêu thụ năng lượng và cải thiện thời lượng pin của smartphone, nhưng hiệu suất không được cải thiện nhiều. Đây có thể nói là một bước phát triển mạnh mẽ khi làm giảm mức tiêu thụ năng lượng của điện thoại di động và tăng tuổi thọ pin, đồng thời tình trạng nóng máy sẽ được giảm bớt.

Quy trình 3nm của TSMC

Mỗi lần nâng cấp quy trình đều thể hiện một lần nâng cấp chip điện thoại, mặc dù thông tin hiện tại cho thấy hiện tại chỉ có Apple đang sử dụng quy trình 3nm của TSMC, nhưng với sự cải tiến không ngừng của công nghệ quy trình 3nm của TSMC, OneWay tin rằng hai gã khổng lồ chip Android là Qualcomm và MediaTek cũng sẽ sử dụng công nghệ xử lý 3nm, chip của điện thoại di động sẽ mở ra một bản nâng cấp khác vào thời điểm đó.

Tốc độ làm mới màn hình thay đổi ở các khu vực khác nhau của Samsung

Công nghệ màn hình của Samsung luôn đi đầu. Điển hình, Samsung S20 là sản phẩm đầu tiên áp dụng tốc độ làm mới 120Hz. Samsung Galaxy S21 Ultra và S22 đều sử dụng màn hình có tốc độ làm mới thay đổi ở các khu vực khác nhau. Điều chỉnh tốc độ làm mới để đạt được khả năng tăng tuổi thọ pin của điện thoại di động. Cách đây không lâu, Samsung đã xin cấp bằng sáng chế mới về màn hình, có thể áp dụng đồng thời các công nghệ hiển thị với tốc độ làm tươi khác nhau cho nhiều khu vực trên một màn hình.

Theo Samsung, công nghệ này có thể "điều khiển màn hình ở nhiều tốc độ làm mới" để cho phép màn hình "điều khiển nhiều khu vực hiển thị ở các tần số điều khiển khác nhau". Điều đó có nghĩa là, một phần của màn hình có thể được hiển thị ở tốc độ làm mới 30Hz hoặc 60Hz, trong khi phần còn lại được hiển thị ở tần số 120Hz.

Tốc độ làm mới màn hình thay đổi ở các khu vực khác nhau của Samsung (Nguồn: Galaxy Club)

Mục đích nghiên cứu và phát triển của công nghệ này là giảm tiêu thụ điện năng và cải thiện tỷ lệ tiêu thụ năng lượng. Các điện thoại hàng đầu hiện nay về cơ bản có tốc độ làm mới màn hình là 120Hz. Nếu điện thoại di động luôn ở tốc độ làm mới cao 120Hz thì mức tiêu thụ điện năng sẽ rất nhanh. Nếu một số bộ phận được hiển thị ở tốc độ làm mới thấp hơn, thì phần còn lại của màn hình được sử dụng nhiều nhất chạy ở tần số quét 120Hz, không chỉ có thể tăng khả năng hiển thị mà còn có thể tối ưu hóa hơn nữa thời lượng pin của điện thoại di động

Nếu công nghệ này thực sự có thể được đưa vào sử dụng, sẽ là một cách tốt để giảm hiệu suất năng lượng của smartphone. Tuy nhiên, công nghệ này cũng có một vấn đề lớn, có hơn một nghìn ứng dụng phổ biến và phổ biến trên thế giới, việc gỡ lỗi từng phần mềm là quá nhiều công việc đối với Samsung. Tuy nhiên, bằng sáng chế này đã được đệ trình vào đầu năm 2021 và chỉ mới được công bố gần đây, có lẽ Samsung đã tìm ra giải pháp.

(Biên tập: Đồng Đồng)